DUPLOMATIC迪普馬放大板EDM-M212/30E1-B
放大板EDM-M212/30E1-B
節(jié)流閥MERS-D/M/50
溢流閥MCD6-SBT/51N
液壓缸HC2F-63/28-0350-KO-S-22/20
電液比例閥DSPE7G-A150/31N-II/E1K11/B
電液比例閥DSPE7G-C150/31N-II/E1K11/B
比例閥DSE3-A26/11V-D24K1 這個(gè)用 DSE3-A26/11N-D24K1
電磁閥DSA5-S1/20N
高壓濾芯FSITB114M90S100
液壓閥DS07-S2/10N-1E
比例閥DSE3-A08/11N-D24K1
比例閥DSE3-A04/11N-D24K1
比例閥ZE5-P4/40
比例流量閥RPCED1-16/C/52-24
電磁閥DL5B-TA/10N-24DK1
電磁閥DL5B-S3/10N-24DK1
電磁閥DL5B-S1/10N-24DK1
電磁閥RM45-MP/30 升級(jí)RM4-210-MP/40N
電液換向閥E5P4-S9/34 DC24V
電磁溢流閥RQAM5-P3/1/A/1/51N-D24K1
齒輪泵GP1-0041R97F/20N
電磁閥DS5-TA02/12V-D24K1/W7
電磁閥DS5-TA02/12V-D24K1/W7
電磁閥PBM3-SB4/10N/K
雙聯(lián)泵GP3F-0394R97F/20N+GP1R-0061RF/20N
比例方向閥DSE3J-Z30/15/31N-E0K11/A
放大器EDM-M252/20E0
溢流閥RQ5-W6M/41 RQ5-W6/M/41
柱塞泵VPPL-022PC5-R00S/20N
比例流量閥RPCE3-100-T3/52-24
電磁閥DS3-S4-10N\C22-D48K1-10閥需要配固定螺栓2套密封圈用DS3-S4/11N-D48K1
電磁閥DS3-S4/11N-D48K1
溢流閥RQM5-P6/A/M/60N-D24K1
溢流閥RQM5-P5/B/M/60N-D24K1
液壓閥DSE5-C30/10N-D24K1
電液換向閥DSP7H-S4/20N-EI/C/D24K1
流量控制閥RPC1-4/CT/41
放大板UEIK-11/51-24
在設(shè)計(jì)低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細(xì)審視源自放大器的噪聲，一般來(lái)說(shuō)，運(yùn)算放大器的噪聲主要來(lái)自四個(gè)方面：
1、熱噪聲 （Johnson）：由于電導(dǎo)體內(nèi)電流的電子能量不規(guī)則波動(dòng)產(chǎn)生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導(dǎo)體電阻及絕對(duì)溫度有直接的關(guān)系。對(duì)于電阻及晶體管（例如雙極及場(chǎng)效應(yīng)晶體管）來(lái)說(shuō)，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。
2、閃爍噪聲（低頻）：由于晶體表面不斷產(chǎn)生或整合載流子而產(chǎn)生的噪聲。在低頻范圍內(nèi)，這類閃爍以低頻噪聲的形態(tài)出現(xiàn)，一旦進(jìn)入高頻范圍，這些噪聲便會(huì)變成“白噪聲"。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對(duì)電阻器及半導(dǎo)體會(huì)造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場(chǎng)效應(yīng)晶體管大。
3、射擊噪聲（肖特基）：肖特基噪聲由半導(dǎo)體內(nèi)具有粒子特性的電流載流子所產(chǎn)生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關(guān)系。這種噪聲具有寬帶的特性。
4、爆玉米噪聲（popcorn frequency）：半導(dǎo)體的表面若受到污染便會(huì)產(chǎn)生這種噪聲，其影響長(zhǎng)達(dá)幾毫秒至幾秒，噪聲產(chǎn)生的原因仍然未明，在正常情況下，并無(wú)一定的模式。生產(chǎn)半導(dǎo)體時(shí)若采用較為潔凈的工藝，會(huì)有助減少這類噪聲。
此外，由于不同運(yùn)算放大器的輸入級(jí)采用不同的結(jié)構(gòu)，因此晶體管結(jié)構(gòu)上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個(gè)具體例子。
1、雙極輸入運(yùn)算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區(qū)射擊噪聲所造成，低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產(chǎn)生的低頻噪聲；噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產(chǎn)生。
2、CMOS 輸入運(yùn)算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由高頻區(qū)通道電阻的熱噪聲及低頻區(qū)的低頻噪聲所造成，CMOS放大器的轉(zhuǎn)角頻率（corner frequency）比雙極放大器高，而寬帶噪聲也遠(yuǎn)比雙極放大器高；噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產(chǎn)生，CMOS放大器的噪聲電流遠(yuǎn)比雙極放大器低，但溫度每升高10（C，其噪聲電流便會(huì)增加約40%。
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